2、與傳統(tǒng)工藝長達7-14天的晶體生長周期相比,UKING ERH SiC RV1.0設(shè)備晶體生長速度更快,整個過程可控制在7天之內(nèi);

3、 自動化程度高,操控簡單,有利于批量生產(chǎn),提高晶體生長效率和穩(wěn)定性。">

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電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備UK-T8

1、完美解決了感應(yīng)爐徑向溫度梯度大的技術(shù)難點,可實現(xiàn)徑向溫度梯度小和軸向溫度梯度可控,晶體內(nèi)部缺陷少, 良率高、重復(fù)性好;

2、與傳統(tǒng)工藝長達7-14天的晶體生長周期相比,UKING ERH SiC RV1.0設(shè)備晶體生長速度更快,整個過程可控制在7天之內(nèi);

3、 自動化程度高,操控簡單,有利于批量生產(chǎn),提高晶體生長效率和穩(wěn)定性。
電阻法碳化硅晶體生長設(shè)備

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